Dala effekti{0}}tranzistori (FET) bir qutbli yarimo'tkazgichli qurilma bo'lib, uning oqimi elektr maydon tomonidan boshqariladi. U kirishda deyarli hech qanday oqim yoki juda past oqimni tortmaydi va yuqori kirish empedansi, past shovqin, yaxshi issiqlik barqarorligi va oddiy ishlab chiqarish jarayonlariga ega. U yirik-va juda{4}}katta-oʻlchovli integral sxemalarda keng qoʻllaniladi.
Kam quvvat iste'moli, barqaror ishlash va kuchli radiatsiya qarshiligi afzalliklari bilan FET'lar integral mikrosxemalardagi tranzistorlarni asta-sekin almashtirmoqda. Biroq, ular hali ham juda nozik. Garchi ko'pchilikda o'rnatilgan himoya diodlari-bo'lsa-da, agar ehtiyotkorlik bilan foydalanilmasa, ular hali ham shikastlanishi mumkin. Shuning uchun ularni qo'llashda ehtiyot bo'lish tavsiya etiladi.
